Les circuits électroniques s'impriment au goutte-à-goutte

Par 24 décembre 2009

Berkeley propose d'utiliser des gouttes d'encre qui glissent le long d'un sillon microscopique pour imprimer les circuits. Une méthode qui permet plus de précision et de rapidité.

Imprimer les circuits électroniques plutôt que les graver à partir de silicium permet de réaliser des économies. Malgré tout, il reste encore nécessaire de recourir aux méthodes traditionnelles pour les nettoyer et les amener au niveau de performance voulu. "Sans cela, les transistors obtenus ont une performance médiocre", explique au New Scientist Huai-Yuan Tseng de l’université de Californie à Berkeley. Avec un collègue, le chercheur propose une méthode d’impression des transistors qui élimine cette partie du processus. Le principe de celle-ci est d’utiliser des gouttes d’encre glissant le long d’un sillon microscopique.
Créer une crête pour répartir l’encre de chaque côté
Dans un premier temps, les circuits sont imprimés en utilisant des nano particules d’encre d’argent. Elles sont ensuite recouvertes d’un enduit d’un peu plus de 100 nanomètres de large en plastique isolant. L’encre crée donc une proéminence sous la couche isolante, un peu comme un coussin sous une couverture. Les chercheurs utilisent cette arrête pour faire s’écouler un bloc d’encre unique de part et d’autre de la bosse, créant deux lignes bien séparées. Pour s’assurer que cela se passe bien comme prévu, le composant isolant utilisé doit être dépourvu de propriétés adhésives. Par ailleurs, de l’eau est ajoutée à la nano particule d’argent pour faciliter son écoulement.
Eliminer les problèmes de vitesse des transistor
Les méthodes utilisées jusqu’ici manquaient de précision, et il était courant de voir deux lignes imprimées se rapprocher suffisamment pour nécessiter une retouche du rendu final. Il faut en effet éviter au maximum que les trois électrodes qui constituent un transistor à effet de champ soient situées trop près les unes des autres. "Sans cela, l’impact principal est de réduire la vitesse du transistor", explique encore le chercheur au New Scientist. "Plus les connexions se chevauchent, plus le parasitage est important". La nouvelle technique réduit ce chevauchement à quelques dixièmes de micromètres, un chiffre comparable à l’utilisation de processus de nettoyage supplémentaires utilisés jusque là.

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