Samsung va investir 3,5 milliards dans les mémoires flash

Par 19 juin 2007

Le Coréen va injecter 3,5 milliards de dollars dans son usine américaine. Objectif: se détourner des mémoires DRAM, moins rentables, pour se concentre sur les NAND...

Le Coréen va injecter 3,5 milliards de dollars dans son usine américaine. Objectif: se détourner des mémoires DRAM, moins rentables, pour se concentre sur les NAND.
 
Le groupe d'électronique sud-coréen va investir la coquette somme de 3,5 milliards de dollars d'ici l'année prochaine dans son unique usine américaine, située à Austin, au Texas, pour la production de mémoires flash NAND. Samsung espère ainsi que 60 000 wafers (galettes de silicium) sortiront chaque mois.
 
Cette usine, que Samsung possède depuis dix ans, n'est pour l'instant utilisée que pour la production de mémoires DRAM.
 
Mémoires NAND: un marché plus porteur
 
C'est pour compenser la chute des prix de ce secteur et mieux faire face à des concurrents de plus en plus puissants comme Toshiba et Hynix, que le groupe sud-coréen a consenti à un tel investissement aux Etats-Unis.
 
Les mémoires flash NAND se retrouvent surtout dans des appareils liés à la grande consommation comme les téléphones mobiles, les appareils photo numériques et les baladeurs MP3.
 

(Atelier groupe BNP Paribas – 19/06/2007)

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