STMicroelectronics : accord avec Intel au sujet des mémoires pour mobiles

Par 06 décembre 2005
Mots-clés : Smart city

Après l'accord conclu avec Micron Technologies dans le domaine de la mémoire flash NAND, aboutissant à la création d'une co-entreprise, Intel s'adjoint les services d'un nouveau partenaire...

Après l'accord conclu avec Micron Technologies dans le domaine de la mémoire flash NAND, aboutissant à la création d'une co-entreprise , Intel s'adjoint les services d'un nouveau partenaire, STMicroelectronics, mais pour les mémoires NOR qui s'adressent en priorité à l'univers du téléphone mobile.

STMicroelectronics et Intel viennent en effet d'annoncer "un sous-système mémoire flash commun pour abaisser les coûts de développement des fabricants de téléphones portables et leur permettre d'introduire plus rapidement des téléphones dotés de multiples fonctions".

Autrement dit, les deux industriels fourniront deux types de mémoire compatibles sur les plans matériels et logiciels, reposant sur les mêmes spécifications. Les fabricants disposeront ainsi de deux sources d'approvisionnement distinctes mais compatibles. Dans la mesure où Intel et STMicroelectronics sont déjà leaders sur le secteur de la mémoire NOR, cet accord ne vise en réalité qu'à asseoir leur avance sur la concurrence.

92,8 % des mémoires flash embarquées dans les téléphones mobiles sont de type NOR selon la société d'études iSuppli. Plus de 40 % de ces mémoires sont fournies par Intel et STMicroelectronics qui cherchent à consolider leur emprise sur un marché en plein essor.

NAND, NOR ?

On trouve deux formes de mémoire flash : NAND ( No And ) et NOR ( Not Or ). La principale différence réside dans les temps d'effacement et d'écriture. La mémoire flash NAND, la plus rapide des deux, offre une plus grande densité et possède une grande durée de vie. Elle est donc adaptée au stockage d'informations : baladeurs numériques, cartes mémoire d'appareils photo, etc.

La mémoire NOR présente des temps d'écriture et de lecture plus longs, mais elle permet un accès aléatoire aux données, quelque soit leur position. Ceci la rend particulièrement adaptée à l'enregistrement de programmes informatiques rarement mis à jour, comme les logiciels qui équipent les appareils photos, baladeurs ou assistants personnels.

Intel vient justement de mettre au point un nouveau modèle de mémoire flash NOR. Baptisée StratFlash M18 est la première puce gravée en 90 nanomètres par Intel (130 nm pour la précédente génération), et sa première puce "multi-niveau" ( Multi-Level Cell ).

(Atelier groupe BNP Paribas - 06/12/05)

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